Hyper-NA EUV:超越高数值孔径光刻技术的下一个发展阶段（卡尔蔡司，ASML）

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🕒 时间: 2026-10-09 18:33:40
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Hyper-NA EUV:超越高数值孔径光刻技术的下一个发展阶段（卡尔蔡司，ASML）
[!quote]+ 研究人员研究了数值孔径至少为 0.75 的超数值孔径 EUV 光刻技术，将其视为超越当前 0.55-NA 高数值孔径系统的途径，包括光学架构、分辨率潜力、掩模 3D 效应、偏振以及扩展现有 EUV 生态系统的要求。 https://www.spiedigitallibrary.org/journals/journal-of-micro-nanopatterning-materials-and-metrology/volume-25/issue-4/041807/Hyper-NA…