长鑫科技把下一代DRAM密度路线，从行业通行的6F²单元推进到4F²，并配上自研VSG垂直环绕栅极晶体管。总裁曹堪宇在第四届集成芯片和芯粒大会上披露，公司同时推进混合键合，预计年底推出融合这些技术的新一代DDR5 RDIMM。4F²是指单个存储单元只占4倍最小特征尺寸的平方，同样硅面积可放入更多晶体管，阵列密度随之上升。 若量产站住，冲击的是现有存储供给的成本曲线。证券时报转述的业内判断是：三星电子、SK海力士近期急跌里既...

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长鑫科技把下一代DRAM密度路线，从行业通行的6F²单元推进到4F²，并配上自研VSG垂直环绕栅极晶体管。总裁曹堪宇在第四届集成芯片和芯粒大会上披露，公司同时推进混合键合，预计年底推出融合这些技术的新一代DDR5 RDIMM。4F²是指单个存储单元只占4倍最小特征尺寸的平方，同样硅面积可放入更多晶体管，阵列密度随之上升。

若量产站住，冲击的是现有存储供给的成本曲线。证券时报转述的业内判断…