面对中国本土对手（如长江存储 YMTC）的市场份额追赶及全球 AI 算力对高密度闪存的爆发式需求： 三星电子（西安工厂）：计划实施代号为“Monami”的产线升级，由目前的约 200 层 NAND 逐步切换为 286 层 V9 闪存芯片，目标在 2027 年底前达到每月 4 万片晶圆产能； SK 海力士（大连工厂 / Solidigm）：正推动从目前的 192 层产品向 240 层及以上 NAND 芯片切换，并寻求与美方沟通在当地开展更高层数的技术研发。 三星和 SK 海力士虽然是韩国企业，且工…